全球MEMS传感器技术创新现状与趋势——基于2000-2014年专利分析
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作者单位:

中国科学技术信息研究所,中国科学技术信息研究所,中国科学技术信息研究所

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中图分类号:

G306 G353.1

基金项目:

国家科技图书文献中心(NSTL)重大专项服务资助项目“核心电子器件高端通用芯片和基础软件产品重大专项服务”(2014XM053)


Analysis of Development and Innovation Trend of MEMS Sensor Based on Patent from 2000 to 2014
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    摘要:

    以MEMS传感器为主要研究对象,基于德温特专利数据库中收录的优先权年为2000-2014年的MEMS传感器相关专利数据,以发展速度不同划分为三个阶段,分别讨论了各阶段传感器类型、IPC分布以及专利权人分布的变化情况。结果表明MEMS传感器为市场导向型技术,不同阶段的研究重点与该阶段的市场需求有着紧密的联系,我国MEMS传感器在技术创新的同时应加快产业化的步伐。

    Abstract:

    In this paper, the main research object was MEMS sensor, the patents data was collected from Derwent Innovation Index (DII), first an analysis of patent distribution in the year between 2000 to 2014 was done, and obtained three development stages, then the MEMS sensor type, IPC distribution as well as the major research institutions in different stage was analyzed. Results showed that the development of MEMS sensor was closed contact with market demand, the technological innovation and industrial development of MEMS sensor should carry out at the same time in China.

    参考文献
    相似文献
    引证文献
引用本文

梁琴琴,赵志耘,赵蕴华.全球MEMS传感器技术创新现状与趋势——基于2000-2014年专利分析[J].,2016,(10).

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  • 收稿日期:2015-07-13
  • 最后修改日期:2015-09-14
  • 录用日期:2015-09-21
  • 在线发布日期: 2016-06-14
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