首页 > 过刊浏览>2020年第40卷第1期 >2020,40(1)  CSTR:[cstr]
上一篇 | 下一篇

广深科技创新走廊智能效率的来源和影响因素研究——基于与美国硅谷的比较分析

On the Sources and Influencing Factors of Intelligent Efficiency in Guangzhou-Shenzhen Science and Technology Innovation Corridor: Based on Comparison with US Silicon Valley

发布日期:2020-02-13

联系电话:020-37635126(一、三、五)/83568469(二、四)(查稿)、37674300/82648174(编校)、37635521/82640284(财务)、83549092(传真)

联系地址:广东省广州市先烈中路100号大院60栋3楼302室(510070) 广东省广州市越秀区东风西路207-213星河亚洲金融中心A座8楼(510033)

邮箱:kjgl83568469@126.com kjgl@chinajournal.net.cn

科技管理研究 ® 2024 版权所有
技术支持:北京勤云科技发展有限公司
关闭
关闭